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ME15N10-G

MOSFET N-CH 100V 14.7A DPAK
  • Force-MOS / Matsuki

  • ME15N10-G

  • 表面贴装型 N 通道 100V 14.7A(Tc) 34.7W(Tc) DPAK/TO-252-3

状态:
数量:

产品信息

RoHS: RoHS  符合RoHS要求:符合2011/65 / EU(6种物质)


Lead Free:  Lead Free Pb-free 无铅


产品状态:在售  (生命周期状态:供货中)


包装方式:卷带 Tape and Reel


产地 Country of Origin:中国


产品规格

起订量
1
递增量
1
标准包装
2500

产品文档

产品属性

类型
描述
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
Force-MOS
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
100 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
24 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
882 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
34.7W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
ME15N10


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