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IRF640NPBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
  • Infineon Technologies

  • IRF640NPBF

  • 通孔 N 通道 200 V 18A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB

状态:
数量:

产品信息

RoHS: RoHS  符合RoHS要求:符合2011/65 / EU(6种物质)


Lead Free:  Lead Free Pb-free 无铅


产品状态:在售  (生命周期状态:供货中)


包装方式:管件 Tube


产地 Country of Origin:中国


产品规格

起订量
1
递增量
1
标准包装
50

产品文档

产品属性

类型
描述
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
150 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
67 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1160 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
150W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRF640


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