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产品信息
RoHS: 
符合RoHS要求：符合2011/65 / EU（6种物质）
Lead Free: 
Pb-free 无铅
产品状态：在售 ( 生命周期状态：量产中)
包装方式：卷带 Tape and Reel
产地 Country of Origin：中国
产品规格
产品属性
类型 | 描述 |
|---|---|
类别 | 分立半导体产品 / 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
制造商 | Infineon Technologies |
系列 | HEXFET® |
包装 | 卷带（TR） |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET（金属氧化物） |
漏源电压（Vdss） | 55 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 42A（Tc） |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13.5 毫欧 @ 36A，10V |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 35 nC @ 5 V |
Vgs（最大值） | ±16V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1570 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D-Pak |
封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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