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产品信息
RoHS: 
符合RoHS要求：符合2011/65 / EU（6种物质）
Lead Free: 
Pb-free 无铅
产品状态：在售 (生命周期状态：供货中)
包装方式：卷带 Tape and Reel
产地 Country of Origin：中国
产品规格
产品属性
类型 | 描述 |
|---|---|
类别 | 分立半导体产品 晶体管 FET，MOSFET FET，MOSFET - 阵列 |
制造商 | Texas Instruments |
系列 | NexFET™ |
包装 | 卷带（TR） |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 N-通道（双） |
FET 功能 | 标准 |
漏源电压（Vdss） | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 8A，10V |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.6V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1400pF @ 30V |
功率 - 最大值 | 2.1W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 基本产品编号 | CSD88537 |
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